| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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PSMN013-80YS,115 |
SC-100，SOT-669，4-LFPAK | NXP Semiconductors | 3168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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PSMN013-80YS,115参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK 包装数量：1500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：80V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.9 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2420pF @ 40V 功率 - 最大值：106W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeHSM28DRKN 振荡器 - 可编程ASSFLP1-R-D11 RF 天线AH104N2450D1-T DIPA6E-7101 箱1590KBK 背板 - 专用MP2-S030-51M1-C-LR 薄膜电容器DMM4P47K-F 逻辑 - 栅极和逆SN74LVC08ADR LED - 分立式SLR343BC4T3F DC DC ConVE-25F-EY-F3 |
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